Durante duas décadas, a escolha foi a mesma. Um carregador pequeno significava carregamento lento. O carregamento rápido significava um carregador volumoso que ocupava duas tomadas. O carregador original de 5 W do iPhone da Apple cabia no bolso, mas demorava uma hora a carregar metade do telefone. O carregador de 96 W do MacBook, lançado mais tarde, conseguia carregar um portátil rapidamente, mas pesava 300 gramas e ocupava muito espaço na régua de tomadas. A tecnologia GaN elimina completamente esta escolha. Um carregador GaN de 45 W ocupa o mesmo espaço físico que o carregador de 5 W e fornece nove vezes mais potência. A mudança não é pequena. Ela é fundamental para a forma como pensamos o carregamento hoje em dia.

O que é o GaN e qual a sua diferença em relação ao silício?

Cada carregador de parede contém uma fonte de alimentação comutada que converte a eletricidade CA da rede (240 V no Reino Unido) na tensão CC necessária para o seu dispositivo (normalmente 5 V, 9 V, 12 V, 15 V ou 20 V, dependendo do modo de carregamento). A comutação é feita por transístores. Durante décadas, estes transístores foram feitos de silício.

Os transístores de GaN (nitreto de gálio) desempenham a mesma função de forma diferente. O GaN é um semicondutor de banda proibida larga, o que significa que pode comutar corrente elétrica a frequências muito mais elevadas do que o silício, perdendo menos energia sob a forma de calor a cada comutação. As implicações práticas são três:

1. Uma frequência de comutação mais elevada significa transformadores mais pequenos. Uma fonte de alimentação de frequência mais elevada utiliza componentes magnéticos fisicamente mais pequenos, porque os requisitos de armazenamento de energia magnética são inversamente proporcionais à frequência.
2. Menores perdas de comutação significam menor produção de calor. Menos calor significa dissipadores de calor mais pequenos e componentes mais compactos, sem risco de falhas térmicas.
3. Em conjunto, estes fatores possibilitam uma densidade de potência significativamente maior. O mesmo volume físico pode gerar significativamente mais potência, ou a mesma potência pode ser acondicionada num corpo muito mais pequeno.

Figura 1 — Comparação de tamanho na mesma classe de potência

O que oferece o carregador de parede GaN de 45 W da Gibutech?

Gráfico 2 — Comparação da velocidade de carregamento (iPhone 15 Pro, de 0 a 50%)

Com que dispositivos funciona um carregador GaN de 45 W?

O carregador GaN de 45 W da Gibutech utiliza o USB-C Power Delivery nas suas duas portas USB-C e o Quick Charge 3.0 na sua porta USB-A. Isto abrange praticamente todos os dispositivos convencionais lançados nos últimos cinco anos:

O que muda quando se muda para um carregador GaN?

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Troque uma vez e pare de pensar nisso.

O carregador de 5W que vinha na caixa era um compromisso resultante das limitações do silício. O GaN elimina estas limitações. Um único carregador GaN de 45W com três portas alimenta simultaneamente um telemóvel, um tablet e um par de auscultadores, num corpo do mesmo tamanho do carregador original de 5W, com uma velocidade 2,4 vezes superior e circuitos de proteção integrados que fazem com que os carregadores antigos pareçam inseguros em comparação. A decisão de mudar não se resume a saber se o GaN é melhor. Trata-se de compreender por que razão continuaria a utilizar a tecnologia antiga quando a atualização é tão óbvia.